ZnSe晶体属面心立方结构，其光率体椭球为一个球体，在光学上表现为各向同性。它具有优异的物理与化学性质，可用于制造蓝光半导体激光器、光探测器件、非线性光学器件、波导调制器等；同时，作为优秀的红外材料，透过波长为O．5～22“m，特别在10．6肛m处有极好的透过率，是红外透镜、激光窗口、红外热像仪和高功率CO。激光器应用的首选材料。这些应用带动了znSe晶体加工技术的发展并对其加工提出愈来愈高的要求，作为红外材料使用，在加工中要保证其表面光洁度和良好的透过率。

znse透镜的基本参数和技术要求图1为ZnSe晶体的透过率曲线。由1图可知，znSe晶体具有极好的光学特性，能透过可见和红外光，尤其在红外光谱区具有高而均匀的光学透过率。表1给出了ZnSe晶体的折射率砣随波长A的变化，ZnSe晶体的折射率温度系数低，适用于制作多光谱应用中的光学元件。

图1 ZnSe晶体的透过曲线

        表l ZnSe晶体折射率随波长的变化

 晶体研磨对透镜偏心及光洁度的影响

磨盘材料选用铸铁，采用数控车床加工，很好地控制了其面形精度。在进行粗细磨工序前，应先将R一140 mm面半径加工好，加工时中心磨到即可。尽量少去厚度或不去厚度，而且要注意偏心，偏心量大致不应超过0．20～o．30 mm。

抛光对零件表面光洁度的影响

ZnSe晶体的抛光是机械、物理和化学作用的共同结果。在抛光过程中，抛光剂具有2种作用，即机械作用与胶体化学作用，这2种作用是同时出现的。在抛光的初始阶段，是抛光剂去除表面凹凸层的过程，因而呈现出新的抛光面，这时主要是靠机械作用。但呈现出新的抛光面以后，抛光剂颗粒开始与材料表面进行分子接触，由于抛光剂具有一定的化学活性，即具有强烈的晶格缺陷(实践证明，具有晶格缺陷的抛光剂的抛光效率是比较高的)，晶格缺陷处的各质点的结合能量比较大，易于通过化学吸附作用把材料表面分子吸附出来，在抛光剂与材料表面分子接触中材料即被抛光。

加工过程中需要注意的问题

严格说来，晶体加工是一种有害作业，因此，应该重视加工者的健康防护问题。防护上大体可以采

取以下措施：

(1)有毒晶体的加工应集中在有良好通风排毒设备的专门房间里，机床工作台应有防护罩和排风扇。

(2)为了减少或消除毒物对人体的伤害，工作之后必须认真洗手，用刷子将双手仔细擦洗干净。

(3)严禁在有毒的工作间内吸烟、进食，要定时呼吸新鲜空气。

加工中采用双氧水溶剂浸泡Al。O。抛光剂，软化了AlzO。磨料，大大提高了抛光零件的表面质量，取得了较为理想的效果。同时，为整盘等厚加工设计制作的工具既简单可靠，又保证了零件的精度。